Szybszy dostęp niż przeglądarce!
6 kontakty: IGBT, MOSFET, Półprzewodniki, Spadek napięcia, Tranzystor bipolarny, Tyrystor.
IGBT
Moduł IGBT firmy Mitsubishi 3300 V/ 1200 A IGBT – tranzystor bipolarny z izolowanąbramką.
Nowy!!: Tyrystory MCT i IGBT · Zobacz więcej »
MOSFET
MOSFET (ang. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowanąbramkąi obwodów układów scalonych.
Nowy!!: Tyrystory MCT i MOSFET · Zobacz więcej »
Półprzewodniki
Porównanie układu pasm Półprzewodniki – substancje, najczęściej krystaliczne, których konduktywność może być zmieniana w szerokim zakresie (na przykład od 10−8 do 103 S/cm) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlanie lub inne czynniki.
Nowy!!: Tyrystory MCT i Półprzewodniki · Zobacz więcej »
Spadek napięcia
Spadki potencjałów na dwóch opornikach o takiej samej długości i różnych opornościach właściwych Spadek napięcia – w elektryczności zmniejszenie napięcia, czyli różnicy potencjału elektrycznego między dwoma punktami obwodu, w którym płynie prąd elektryczny.
Nowy!!: Tyrystory MCT i Spadek napięcia · Zobacz więcej »
Tranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) – typ tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału.
Nowy!!: Tyrystory MCT i Tranzystor bipolarny · Zobacz więcej »
Tyrystor
thumb Tyrystor – element półprzewodnikowy składający się z 4 warstw w układzie p-n-p-n, wyposażony w 3 elektrody, z których dwie sąprzyłączone do warstw skrajnych, a trzecia do jednej z warstw środkowych – warstwy typu p. Elektrody przyłączone do warstw skrajnych nazywa się katodą(K) i anodą(A), a elektrodę przyłączonądo warstwy środkowej typu p – bramką(G, od – ‘bramka’).
Nowy!!: Tyrystory MCT i Tyrystor · Zobacz więcej »
